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媒晶剂对a半水石膏结晶形态的作用

时间:2014-05-27 10:24:34

作者:世邦机器

探讨媒晶剂对a半水石膏结晶形态的作用机理时,媒晶剂主要以两种方式进行:(1)在晶体的某个晶面上做选择性吸附;(2)改变晶面的比表面自由能。根据S.E.Edinger的实验证明:石膏的晶面由Ca2+组成,能选择吸附一价正负离子;而晶面由Ca2斗和S0:组成,对正负离子均可吸附,但相对来说,阳离子在S0;上的吸附更强烈。因此可以认为,单一媒晶剂引入的金属阳离子大多吸附于面上,这种吸附将改变面的比表面自由能,并阻碍了晶体生长基元向该晶面贴附,从而降低了该晶面方向上的生长速率,相对来讲面发育正常,故晶形仍呈针状或棒状。

当两种或两种以上的媒晶剂复合掺人时,既考虑阳离子的作用,石膏加工又考虑具有更强烈吸附的阴离子团的作用,如多元羧酸盐的阴离子。和阳离子组成的复合媒晶剂即可被选择吸附到面上配位,如图2-3-15所示。当含有羧基酸盐的媒晶剂溶于盐溶液中后,ERC00]。基团一端与晶面的Ca”发生吸附连接,另一端则与A13+连接,形成网络状结构吸附于面上。这样,负吸附性极强的ERC00]。能同时与Ca2+、A13+离子吸附配位,结果在面上形成了一层由有机大分子吸附金属离子构成的网络状“缓冲薄膜”。石膏粉磨机根据周期性键链(PBC)理论的观点,结晶生长基元要结合到吸附有上述网络状薄膜的晶面上是比较困难的,因为它要破坏晶面上已存在的网络状薄膜的吸附键后,才能向晶面结合。因此说网状薄膜阻碍了结晶基元在该晶面上的结合,从而减缓了石膏晶体在c轴方向上的生长速度,使各个方向的生长速率接近平衡,故复合媒晶剂能产生较好的转晶效果,使产物呈六方短柱状。

上述的探讨已被x光电子能谱和电子探针分析所证实,因此复合媒晶剂的作用机理可解释为:由于金属阳离子和具有更强烈吸附的阴离子基团的共同作用,在c轴方向的晶面上选择吸附形成网络状“缓冲薄膜”,从而阻碍了结晶基元在该方向晶面上的结合和生长,使晶体沿各个方向的生长速率接近平衡,产物即呈六方短柱状。

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