晶格缺陷理论来解释石膏的脱水过程

现在来用晶格缺陷理论来解释石膏的脱水过程。石膏在一定的温度下发生脱水相变过程，在石膏晶体内部首当其冲脱水的必然是从晶体缺陷部位开始。原始石庸本身也存在着一些缺陷，就一颗二水石膏的晶片而言，其表面决不是均匀的。现已知石膏表面有缺陷、包晶、空洞、解理、裂纹及杂质等多种不均匀现象，无疑，这些缺陷的存在对石膏的脱水过程起着重要的作用。

除了原始石膏在脱水的本身所具有的缺陷外，从石膏粉生产工艺固体化学的观点来看，固体中的化学反应或者晶相转变都会出现某些特殊点――品格缺陷。如前所述，从化学热力学方面考虑，石膏分解需要要有足够的能量来打破晶体的结构平衡，克服分子间的引力、键能和晶格能等。当加热石膏时石膏所获取的能量聚集到一定的能势时，就会使石膏的晶体结构出现了不平衡运动状态，或者说石膏内的水分子产生了激烈的热运动，试图挣脱分子间的范德华引力。

当石膏聚集的热能足以克服个别晶胞的分子间引力后，石膏粉生产设备就会在晶格上产生位移的缺陷，水分子沿着这些晶格缺陷和原有的表面缺陷及裂缝脱出，在显微镜下很容易观察到这些水的出露点。与此同时，在缺陷处出现了成核点。作者曾在高温显微镜下观察脱水现象，发现水的出露点出现后，半水石膏的微晶体很快围绕成核点聚集。随着加热时间的延长，这些微小晶体不断长大并向四周扩展，末了观察到晶片的新生物连成一片，此时半水石膏已大量形成。出现成核点后，半水石膏晶体的生长速度很快，这说明只要热能充足，一旦二水石膏开始脱水并形成了半水石膏的成核点后，二水石膏中的结晶水沿着已脱水形成的沟道蒸发速度加快，水被蒸发送出的阻力越来越小，因此半水石膏生长的速度也愈来愈快。

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